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产品分类

TI优势CSD88537ND	 MOSFET - 阵列 2 N-通道
TI优势CSD88537ND	 MOSFET - 阵列 2 N-通道
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TI优势CSD88537ND MOSFET - 阵列 2 N-通道

型号/规格:

CSD88537ND

品牌/商标:

TI

封装:

SOP8

批号:

21+

数量:

10000

产品信息









类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
15 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
3.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1400pF @ 30V
功率 - 大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC