描述：
优化的超级结 MOSFET 兼具高能效和易用性


600V CoolMOS P7 超级结 MOSFET 是 600V CoolMOS P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中平衡对高效率的需求和易用性。 CoolMOS 第 7 代平台一流的 RonxA 和固有的低栅极电荷 (QG) 确保了其高效率。


功能概要：IPA60R120P7
效率
600V P7 可实现出色的 FOM RDS(on)xEoss 和 RDS(on)xQG
便于使用
ESD 耐受性≥ 2kV（HBM 2 级）
集成栅极电阻 RG
坚固的体二极管
广泛的通孔和表面贴装封装产品组合
提供标准级和工业级零件

好处：IPA60R120P7
效率
出色的 FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss 可实现更高的效率
便于使用
通过阻止 ESD 故障的发生，在制造环境中易于使用
集成 RG 降低了 MOSFET 振荡灵敏度
MOSFET 适用于硬开关拓扑和谐振开关拓扑，例如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓扑中看到的体二极管硬换向期间具有出色的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
提供适用于消费和工业应用的部件

潜在应用：IPA60R120P7
电视电源
工业开关电源
服务器
电信
灯光


产品属性：IPA60R120P7
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS P7
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Tc）
驱动电压（Rds On， Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 120 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 4V @ 410μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 36 nC @ 10 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 1544 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散 28W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包
基本产品编号 IPA60R120P7